【論文発表】Realization of ideal Ohmic contact to n-Ge: The key roles of Ge-Bi-Te for quasi-van der Waals interface formation

n型Ge半導体へのコンタクト電極形成に関する論文を発表しました。産業技術総合研究所との共同研究です。
W. H. Chang, S. Hatayama, N.Okada, T. Irisawa, and Y. Saito, APL Mater. 13, 071117 (2025).